Диод Шоттки MBRS1100 / 1А, 100В, DO-214AA(SMB)
KSE (Keen Side)
Код: 52441
|
37 шт | 0.26 руб./шт |
|
|
Код: 53766
|
16 шт | 0.86 руб./шт |
|
|
Диод Шоттки MBRS130LT3G / 1А, 30В, DO-214AA(SMB)
ONS (ON Semiconductor)
Код: 49167
|
92 шт | 0.60 руб./шт |
|
|
Код: 48294
|
165 шт | 0.19 руб./шт |
|
|
Диод Шоттки MBRS360BT3G / 3А, 60В, DO-214AA (SMB)
ON Semiconductor
Код: 51397
|
7 шт | 1.54 руб./шт |
|
|
Код: 49194
|
2 шт | 3.29 руб./шт |
|
|
Код: 51672
|
10 шт | 0.19 руб./шт |
|
|
Диод Шоттки RB751S40T1G / 0,03А, 30В, SOD-523
ONS (ON Semiconductor)
Код: 50486
|
35 шт | 0.26 руб./шт |
|
|
Код: 52316
|
65 шт | 0.38 руб./шт |
|
|
Диод Шоттки SB360 / 3А, 60В, DO-201AD
DIOTEC SEMICONDUCTOR
Код: 14539
|
47 шт | 1.27 руб./шт |
|
|
Код: 50782
|
33 шт | 1.18 руб./шт |
|
|
Код: 50271
|
116 шт | 0.36 руб./шт |
|
|
Код: 11240
|
293 шт | 1.62 руб./шт
Спеццена
|
|
|
Код: 17079
|
9 шт | 23.42 руб./шт |
|
|
Диод Шоттки SD103BW / 0.35А, 30В, SOD-123
DIOTEC SEMICONDUCTOR
Код: 51656
|
23 шт | 0.12 руб./шт |
|
|
Диод Шоттки SK13-DIO / 1А, 30В, DO-214AC (SMA)
DIOTEC SEMICONDUCTOR
Код: 37427
|
12 шт | 0.19 руб./шт |
|
|
Диод Шоттки SK14 / 1А, 40В, DO-214AC (SMA)
DIOTEC SEMICONDUCTOR
Код: 37428
|
86 шт | 0.16 руб./шт |
|
|
Диод Шоттки SK16 / 1А, 60В, DO-214AA
DIOTEC SEMICONDUCTOR
Код: 14714
|
621 шт | 0.22 руб./шт |
|
|
Диод Шоттки SK24 / 2А, 40В, SMB
DIOTEC SEMICONDUCTOR
Код: 28813
|
162 шт | 0.22 руб./шт |
|
|
Диод Шоттки SK54-3G / 5А, 40В, SMB (DO-214AA)
DIOTEC SEMICONDUCTOR
Код: 51205
|
100 шт | 0.55 руб./шт |
|
|
Код: 51867
|
10 шт | 0.46 руб./шт |
|
|
Код: 15147
|
1 468 шт | 0.32 руб./шт |
|
|
Код: 19257
|
51 шт | 0.47 руб./шт |
|
|
Диод Шоттки SR3100 / 3А, 50В, DO-201AD
DC (DC Components)
Код: 50979
|
12 шт | 0.34 руб./шт |
|
Диод Шоттки (Диод с барьером Шоттки) - полупроводниковый диод с малым падением напряжения при прямом пропускании тока.
В диодах Шоттки в качестве барьера используется переход металл-полупроводник, в отличие от обычных диодов, где используется p-n-переход. Переход металл-полупроводник обладает рядом особенных свойств (отличных от свойств полупроводникового p-n-перехода). К ним относятся: пониженное падение напряжения при прямом включении, высокий ток утечки, очень маленький заряд обратного восстановления. Последнее объясняется тем, что по сравнению с обычным p-n-переходом у таких диодов отсутствует диффузия, связанная с инжекцией неосновных носителей, то есть они работают только на основных носителях, а их быстродействие определяется только барьерной емкостью.