«БелЧип», Минск, Тургенева, 7

A1 Viber +375(29)126-14-13

Розница

A1 Viber +375(44)768-51-81

Заказы физических лиц, почта

A1 Viber +375(44)506-72-53   gor +375(17)316-14-10

Безнал, факс (пн.-пт. 9:00-17:00)

gor +375(17)318-78-78

Выписка накладных(пн.-пт. 9:00-17:00)
Корзина
Избранное
BYN
Аноним
Каталог товаров
Обновлен 02.05.2024 в 02:24
Диоды Шоттки
Ток прямой, А (If)
Корпус
Напряжение обратное импульсное, В (Vrrm)
Производитель
Вид:
Сортировка:
Диод Шоттки
Код: 37582
184 шт 0.12 руб./шт
Диод Шоттки
Код: 53649
60 шт 0.07 руб./шт
Диод Шоттки
Код: 33266
238 шт 0.12 руб./шт
Диод Шоттки
Код: 08570
8 шт 0.24 руб./шт
Диод Шоттки
Диод Шоттки BAT20JFILM
STM (ST Microelectronics)
Код: 36093
10 шт 0.28 руб./шт
Диод Шоттки
Код: 18347
241 шт 0.31 руб./шт
Диод Шоттки
Код: 52401
7 шт 0.14 руб./шт
Диод Шоттки
Код: 39281
208 шт 0.24 руб./шт
Диод Шоттки
Код: 49760
69 шт 0.20 руб./шт
Диод Шоттки
Код: 49664
175 шт 0.08 руб./шт
Диод Шоттки
Код: 47862
14 шт 0.07 руб./шт
Диод Шоттки
Код: 48511
3 000 шт 0.05 руб./шт
Диод Шоттки
Код: 54250
Ожидается: 14.05.2024
-
Диод Шоттки
Код: 29696
163 шт 0.10 руб./шт
Диод Шоттки
Код: 49448
19 шт 0.12 руб./шт
Диод Шоттки
Код: 50383
87 шт 0.38 руб./шт
Диод Шоттки
Код: 51654
15 шт 0.07 руб./шт
Диод Шоттки
Код: 53014
112 шт 0.07 руб./шт
Диод Шоттки
Код: 53013
819 шт 0.07 руб./шт
Диод Шоттки
Код: 50085
2 322 шт 0.05 руб./шт
Диод Шоттки
Код: 08301
212 шт 0.14 руб./шт
Диод Шоттки
Код: 53834
103 шт 0.22 руб./шт
Диод Шоттки
Код: 52556
39 шт 0.12 руб./шт
Диод Шоттки
Код: 48590
683 шт 0.05 руб./шт

Диод Шоттки (Диод с барьером Шоттки) - полупроводниковый диод с малым падением напряжения при прямом пропускании тока.

В диодах Шоттки в качестве барьера используется переход металл-полупроводник, в отличие от обычных диодов, где используется p-n-переход. Переход металл-полупроводник обладает рядом особенных свойств (отличных от свойств полупроводникового p-n-перехода). К ним относятся: пониженное падение напряжения при прямом включении, высокий ток утечки, очень маленький заряд обратного восстановления. Последнее объясняется тем, что по сравнению с обычным p-n-переходом у таких диодов отсутствует диффузия, связанная с инжекцией неосновных носителей, то есть они работают только на основных носителях, а их быстродействие определяется только барьерной емкостью.