+375(17)316-14-10
  |
Код: 43333
|
942 шт | 0.40 руб./шт |
|
  |
Код: 05018
 |
169 шт | 0.41 руб./шт |
|
|
Диод Шоттки 10BQ100 / 1А, 100В, DO-214AC (SMA)
KSE (Keen Side)
Код: 52605
|
128 шт | 0.17 руб./шт |
|
|
Код: 43752
|
170 шт | 0.62 руб./шт |
|
|
Код: 45370
|
136 шт | 0.36 руб./шт |
|
  |
Диод Шоттки 1N5817 (DC) / 1A, 20V, DO-41
DC (DC Components)
Код: 06044
|
510 шт | 0.14 руб./шт |
|
|
Диод Шоттки 1N5817 (KSE) / 1A, 20V, DO-41
Keen Side (KSE)
Код: 53455
|
947 шт | 0.07 руб./шт |
|
|
Диод Шоттки 1N5817 (YJ) / 1А, 20В, DO-41
YJ (Yangzhou Yangjie)
Код: 10563
|
9 шт | 0.10 руб./шт |
|
|
Диод Шоттки 1N5818 (MIC) / 1А, 30В, DO-41
MIC (Master Instruments)
Код: 49755
|
429 шт | 0.10 руб./шт |
|
|
Диод Шоттки 1N5818 T/B (DC) / 1А, 30В, DO-41
DC (DC Components)
Код: 08163
|
349 шт | 0.10 руб./шт |
|
|
Диод Шоттки 1N5819 (YJ) / 1А, 40В, DO-41
YJ (Yangzhou Yangjie)
Код: 01808
|
40 шт | 0.10 руб./шт |
|
  |
Диод Шоттки 1N5819HW (TP) / 1А, 40В, SOD-123
Tech Public
Код: 52210
|
90 шт | 0.12 руб./шт |
|
|
Диод Шоттки 1N5819HW-7-F / 1А, 40В, SOD-123
DIO (DIODES INC.)
Код: 50700
|
56 шт | 0.36 руб./шт |
|
  |
Диод Шоттки 1N5822 (DC) / 3А, 40В, DO-201AD
DC (DC Components)
Код: 49495
|
2 шт | 0.34 руб./шт |
|
|
Диод Шоттки 1N5822 (MIC) / 3А, 40В, DO-201AD
MIC (Master Instruments)
Код: 50969
|
242 шт | 0.34 руб./шт |
|
|
Диод Шоттки 1N5822 / 3А, 40В, DO-201AD
YJ (Yangzhou Yangjie)
Код: 01809
|
754 шт | 0.43 руб./шт |
|
  |
Код: 14528
|
1 шт | 20.02 руб./шт |
|
|
Код: 45030
|
77 шт | 1.01 руб./шт |
|
  |
Код: 50546
|
1 шт | 1.80 руб./шт |
|
|
Код: 32624
|
16 шт | 1.85 руб./шт |
|
|
Диод Шоттки B340B-13-F / 3А, 40В, DO-214AA(SMB)
DIO (DIODES INC.)
Код: 50807
|
2 шт | 0.50 руб./шт |
|
  |
Код: 33994
|
85 шт | 1.03 руб./шт |
|
  |
Диод Шоттки BAS40-04 (DC) / 0.2А, 40В, SOT-23
DC (DC Components)
Код: 48878
|
65 шт | 0.14 руб./шт |
|
|
Диод Шоттки BAS40-04 / 0.2А, 40В, SOT-23
DIOTEC SEMICONDUCTOR
Код: 37582
|
184 шт | 0.12 руб./шт |
|
Диод Шоттки (Диод с барьером Шоттки) - полупроводниковый диод с малым падением напряжения при прямом пропускании тока.
В диодах Шоттки в качестве барьера используется переход металл-полупроводник, в отличие от обычных диодов, где используется p-n-переход. Переход металл-полупроводник обладает рядом особенных свойств (отличных от свойств полупроводникового p-n-перехода). К ним относятся: пониженное падение напряжения при прямом включении, высокий ток утечки, очень маленький заряд обратного восстановления. Последнее объясняется тем, что по сравнению с обычным p-n-переходом у таких диодов отсутствует диффузия, связанная с инжекцией неосновных носителей, то есть они работают только на основных носителях, а их быстродействие определяется только барьерной емкостью.
