+375(17)316-14-10
  |
Код: 54766
  
|
Нет в наличии
|
- |
|
  |
Диод Шоттки 15SQ045 / 15А, 45В, DO-204
HY Electronic
Код: 59525
|
Нет в наличии
|
- |
|
  |
Диод Шоттки 1N5817 (KSE) / 1A, 20V, DO-41
Keen Side (KSE)
Код: 53455
|
Нет в наличии
|
- |
|
|
Диод Шоттки 1N5817 (MIC) / 1А, 20В, DO-41
MIC (Master Instruments)
Код: 56492
|
Нет в наличии
|
- |
|
|
Диод Шоттки 1N5818 (MIC) / 1А, 30В, DO-41
MIC (Master Instruments)
Код: 49755
|
Нет в наличии
|
- |
|
|
Диод Шоттки 1N5819 (DC) / 1А, 40В, DO-41
DC (DC Components)
Код: 30512
|
Нет в наличии
|
- |
|
|
Диод Шоттки 1N5819 (KSE) / 1А, 40В, DO-41
Keen Side (KSE)
Код: 54804
|
Нет в наличии
|
- |
|
|
Диод Шоттки 1N5819 (YJ) / 1А, 40В, DO-41
YJ (Yangzhou Yangjie)
Код: 01808
|
Нет в наличии
|
- |
|
  |
Код: 08853
|
Нет в наличии
|
- |
|
|
Код: 55179
|
Нет в наличии
|
- |
|
|
Диод Шоттки 1N5819HW1-7-F / 1А, 40В, SOD-123
DIO (DIODES INC.)
Код: 48239
|
Нет в наличии
|
- |
|
|
Код: 48621
|
Нет в наличии
|
- |
|
  |
Диод Шоттки 1N5821 / 3А, 30В, DO-201AD
YJ (Yangzhou Yangjie)
Код: 46276
|
Нет в наличии
|
- |
|
|
Диод Шоттки 1N5822 (DC) / 3А, 40В, DO-201AD
DC (DC Components)
Код: 49495
|
Нет в наличии
|
- |
|
|
Код: 46640
|
Нет в наличии
|
- |
|
|
Диод Шоттки 1N5822 (KSE) / 3А, 40В, DO-201AD
Keen Side (KSE)
Код: 61657
|
Нет в наличии
|
- |
|
|
Диод Шоттки 1N5822 (MIC) / 3А, 40В, DO-201AD
MIC (Master Instruments)
Код: 50969
|
Нет в наличии
|
- |
|
  |
Код: 55464
|
Нет в наличии
|
- |
|
  |
Диод Шоттки 20CTQ150 / 2x10А, 150В, TO-220, общий катод
KLS Electronic
Код: 51363
|
Нет в наличии
|
- |
|
  |
Код: 43494
|
Нет в наличии
|
- |
|
  |
Диод Шоттки 30BQ100TRPBF-SMC / 3А, 100В, DO-214AB
KLS Electronic
Код: 46001
|
Нет в наличии
|
- |
|
  |
Код: 59669
|
Нет в наличии
|
- |
|
|
Код: 14528
|
Нет в наличии
|
- |
|
|
Код: 09872
|
Нет в наличии
|
- |
|
Диод Шоттки (Диод с барьером Шоттки) - полупроводниковый диод с малым падением напряжения при прямом пропускании тока.
В диодах Шоттки в качестве барьера используется переход металл-полупроводник, в отличие от обычных диодов, где используется p-n-переход. Переход металл-полупроводник обладает рядом особенных свойств (отличных от свойств полупроводникового p-n-перехода). К ним относятся: пониженное падение напряжения при прямом включении, высокий ток утечки, очень маленький заряд обратного восстановления. Последнее объясняется тем, что по сравнению с обычным p-n-переходом у таких диодов отсутствует диффузия, связанная с инжекцией неосновных носителей, то есть они работают только на основных носителях, а их быстродействие определяется только барьерной емкостью.
