+375(17)316-14-10
  |
Код: 58698
|
3 шт | 0.22 руб./шт |
|
|
Код: 41658
|
1 шт | 1.70 руб./шт |
|
  |
Диод Шоттки MBRB1060CT / 5А, 60В, D2PАK (TO-263AB)
ISC (Inchange Semiconductor)
Код: 38454
|
91 шт | 0.07 руб./шт |
|
|
Диод Шоттки MBRB20100CT / 20А, 100В, D2PAK
YJ (Yangzhou Yangjie)
Код: 40261
 |
104 шт | 1.70 руб./шт |
|
|
Диод Шоттки MBRB3045CTS / 30А, 45В, D2PAK
YJ (Yangzhou Yangjie)
Код: 48302
|
3 шт | 1.68 руб./шт |
|
  |
Диод Шоттки MBRF10100CT / 10А, 100В, TO-220F
ON Semiconductor
Код: 06785
|
74 шт | 0.96 руб./шт |
|
|
Диод Шоттки MBRF20100SCT / 20А, 100В, TO-220F
Keen Side (KSE)
Код: 56901
|
15 шт | 0.79 руб./шт |
|
  |
Диод Шоттки MBRS1100 / 1А, 100В, DO-214AA(SMB)
Keen Side (KSE)
Код: 52441
|
19 шт | 0.26 руб./шт |
|
|
Код: 57055
|
30 шт | 0.31 руб./шт |
|
|
Код: 53766
|
16 шт | 0.86 руб./шт |
|
|
Диод Шоттки MBRS130LT3G / 1А, 30В, DO-214AA(SMB)
ONS (ON Semiconductor)
Код: 49167
|
57 шт | 1.10 руб./шт |
|
|
Код: 48294
|
100 шт | 0.26 руб./шт |
|
|
Код: 56620
|
2 шт | 0.46 руб./шт |
|
  |
Диод Шоттки MBRS540T3G / 5А, 40В, DO-214AB(SMC)
ON Semiconductor
Код: 58847
|
8 шт | 1.22 руб./шт |
|
  |
Код: 51672
|
3 шт | 0.10 руб./шт |
|
|
Код: 52316
|
51 шт | 0.38 руб./шт |
|
  |
Код: 55946
|
80 шт | 0.22 руб./шт |
|
  |
Диод Шоттки SB3100 / 3А, 100В, DO-201AD
DIOTEC SEMICONDUCTOR
Код: 55945
|
25 шт | 1.80 руб./шт |
|
  |
Код: 11240
|
258 шт | 1.62 руб./шт
Спеццена
|
|
  |
Код: 17079
|
9 шт | 23.42 руб./шт |
|
  |
Код: 58584
|
60 шт | 0.48 руб./шт |
|
|
Код: 57584
|
809 шт | 0.06 руб./шт |
|
|
Диод Шоттки SD103BW / 0.35А, 30В, SOD-123
DIOTEC SEMICONDUCTOR
Код: 51656
|
3 шт | 0.12 руб./шт |
|
|
Диод Шоттки SK13-DIO / 1А, 30В, DO-214AC (SMA)
DIOTEC SEMICONDUCTOR
Код: 37427
|
19 шт | 0.19 руб./шт |
|
Диод Шоттки (Диод с барьером Шоттки) - полупроводниковый диод с малым падением напряжения при прямом пропускании тока.
В диодах Шоттки в качестве барьера используется переход металл-полупроводник, в отличие от обычных диодов, где используется p-n-переход. Переход металл-полупроводник обладает рядом особенных свойств (отличных от свойств полупроводникового p-n-перехода). К ним относятся: пониженное падение напряжения при прямом включении, высокий ток утечки, очень маленький заряд обратного восстановления. Последнее объясняется тем, что по сравнению с обычным p-n-переходом у таких диодов отсутствует диффузия, связанная с инжекцией неосновных носителей, то есть они работают только на основных носителях, а их быстродействие определяется только барьерной емкостью.
