+375(17)316-14-10
  |
Код: 07275
  |
30 шт | 0.24 руб./шт |
|
  |
Код: 51979
|
4 шт | 9.05 руб./шт |
|
  |
Код: 59265
|
9 шт | 0.07 руб./шт |
|
|
Код: 57215
|
55 шт | 0.46 руб./шт |
|
  |
Диод Шоттки FSV340AF / 3А, 40В, DO-214AD (SMAF)
ONS (ON Semiconductor)
Код: 53132
|
16 шт | 1.63 руб./шт |
|
  |
Код: 59016
|
3 шт | 13.66 руб./шт |
|
  |
Код: 28698
|
30 шт | 0.05 руб./шт |
|
|
Код: 55487
|
7 шт | 0.10 руб./шт |
|
|
Диод Шоттки MBR0530 / 0.5А, 30В, SOD-123
Keen Side (KSE)
Код: 56782
|
1 шт | 0.05 руб./шт |
|
|
Диод Шоттки MBR0540 (KSE) / 0.5А, 40В, SOD-123
Keen Side (KSE)
Код: 58771
|
14 шт | 0.05 руб./шт |
|
|
Диод Шоттки MBR0540 (YJ) / 0.5А, 40В, SOD-123
YJ (Yangzhou Yangjie)
Код: 48458
|
92 шт | 0.14 руб./шт |
|
|
Код: 48163
|
8 шт | 0.12 руб./шт |
|
|
Диод Шоттки MBR0540T1G / 0.5А, 40В, SOD-123
ON Semiconductor
Код: 52295
|
30 шт | 0.30 руб./шт |
|
  |
Диод Шоттки MBR10100CT / 10А, 100В, TO-220
MIC (Master Instruments)
Код: 33141
|
15 шт | 2.23 руб./шт |
|
|
Код: 14716
|
6 шт | 2.64 руб./шт |
|
  |
Диод Шоттки MBR1645 / 16А, 45В, TO-220AC
YJ (Yangzhou Yangjie)
Код: 35557
|
3 шт | 1.42 руб./шт |
|
|
Диод Шоттки MBR20100CT (KSE) / 20А, 100В, TO-220
Keen Side (KSE)
Код: 54357
|
17 шт | 0.96 руб./шт |
|
|
Диод Шоттки MBR20100CT (YJ) / 20А, 100В, TO-220
YJ (Yangzhou Yangjie)
Код: 43545
|
11 шт | 1.32 руб./шт |
|
|
Диод Шоттки MBR20200CD / 2x10А, 200В, DPAK (TO-252)
YJ (Yangzhou Yangjie)
Код: 59537
|
4 шт | 1.13 руб./шт |
|
|
Диод Шоттки MBR20200CT / 2x10А, 200В, TO-220
YJ (Yangzhou Yangjie)
Код: 37023
|
4 шт | 1.39 руб./шт |
|
  |
Диод Шоттки MBR20200FCT / 2x10А, 200В, TO-220F
YJ (Yangzhou Yangjie)
Код: 59538
|
9 шт | 0.82 руб./шт |
|
|
Диод Шоттки MBR2045CT / 20А, 45В, TO-220-3
YJ (Yangzhou Yangjie)
Код: 40749
|
2 шт | 1.49 руб./шт |
|
|
Диод Шоттки MBR3060CT / 30А, 60В, TO-220
YJ (Yangzhou Yangjie)
Код: 49809
|
8 шт | 1.56 руб./шт |
|
  |
Код: 41661
|
49 шт | 2.47 руб./шт |
|
Диод Шоттки (Диод с барьером Шоттки) - полупроводниковый диод с малым падением напряжения при прямом пропускании тока.
В диодах Шоттки в качестве барьера используется переход металл-полупроводник, в отличие от обычных диодов, где используется p-n-переход. Переход металл-полупроводник обладает рядом особенных свойств (отличных от свойств полупроводникового p-n-перехода). К ним относятся: пониженное падение напряжения при прямом включении, высокий ток утечки, очень маленький заряд обратного восстановления. Последнее объясняется тем, что по сравнению с обычным p-n-переходом у таких диодов отсутствует диффузия, связанная с инжекцией неосновных носителей, то есть они работают только на основных носителях, а их быстродействие определяется только барьерной емкостью.
