+375(17)316-14-10
  |
Диод Шоттки MBRF30100CT / 30А, 100В, TO-220F
JSM (JSMICRO)
Код: 59664
|
Нет в наличии
|
- |
|
  |
Код: 39035
|
Нет в наличии
|
- |
|
  |
Диод Шоттки MBRS360 / 3А, 60В, DO-214AB(SMC)
Keen Side (KSE)
Код: 53749
|
Нет в наличии
|
- |
|
|
Диод Шоттки MBRS360BT3G / 3А, 60В, DO-214AA (SMB)
ON Semiconductor
Код: 51397
|
Нет в наличии
|
- |
|
|
Диод Шоттки MBRS360T3G / 3А, 60В, DO-214AB(SMC)
ONS (ON Semiconductor)
Код: 37429
|
Нет в наличии
|
- |
|
|
Код: 37437
|
Нет в наличии
|
- |
|
  |
Код: 49194
 |
Нет в наличии
|
- |
|
  |
Код: 18369
|
Нет в наличии
|
- |
|
  |
Диод Шоттки RB751S40T1G / 0,03А, 30В, SOD-523
ONS (ON Semiconductor)
Код: 50486
|
Нет в наличии
|
- |
|
  |
Диод Шоттки SB360 / 3А, 60В, DO-201AD
DIOTEC SEMICONDUCTOR
Код: 14539
|
Нет в наличии
|
- |
|
|
Код: 50782
|
Нет в наличии
|
- |
|
|
Код: 50271
|
Нет в наличии
|
- |
|
|
Код: 60583
|
Нет в наличии
|
- |
|
|
Диод Шоттки SB560 / 5А, 60В, DO-201AD
DIOTEC SEMICONDUCTOR
Код: 43012
|
Нет в наличии
|
- |
|
|
Код: 19290
|
Нет в наличии
|
- |
|
  |
Диод Шоттки SD103AW (YJ) / 0.35А, 40В, SOD-123
YJ (Yangzhou Yangjie)
Код: 57585
|
Нет в наличии
|
- |
|
  |
Код: 51124
|
Нет в наличии
|
- |
|
|
Диод Шоттки SK310 / 3А, 100B, DO-214AB
DIOTEC SEMICONDUCTOR
Код: 18344
|
Нет в наличии
|
- |
|
|
Диод Шоттки SK54-3G / 5А, 40В, SMB (DO-214AA)
DIOTEC SEMICONDUCTOR
Код: 51205
|
Нет в наличии
|
- |
|
|
Код: 51867
|
Нет в наличии
|
- |
|
|
Диод Шоттки SKL16 / 1А, 60В, SOD-123
DIOTEC SEMICONDUCTOR
Код: 12218
|
Нет в наличии
|
- |
|
  |
Диод Шоттки SR2030 / 20А, 30В, TO-220
YJ (Yangzhou Yangjie)
Код: 02544
|
Нет в наличии
|
- |
|
|
Код: 19256
|
Нет в наличии
|
- |
|
|
Диод Шоттки SR540 / 5А, 40В, DO-201AD
YJ (Yangzhou Yangjie)
Код: 07186
|
Нет в наличии
|
- |
|
Диод Шоттки (Диод с барьером Шоттки) - полупроводниковый диод с малым падением напряжения при прямом пропускании тока.
В диодах Шоттки в качестве барьера используется переход металл-полупроводник, в отличие от обычных диодов, где используется p-n-переход. Переход металл-полупроводник обладает рядом особенных свойств (отличных от свойств полупроводникового p-n-перехода). К ним относятся: пониженное падение напряжения при прямом включении, высокий ток утечки, очень маленький заряд обратного восстановления. Последнее объясняется тем, что по сравнению с обычным p-n-переходом у таких диодов отсутствует диффузия, связанная с инжекцией неосновных носителей, то есть они работают только на основных носителях, а их быстродействие определяется только барьерной емкостью.
