+375(17)316-14-10
  |
Код: 60691
  |
Нет в наличии
|
- |
|
|
Код: 31688
|
Нет в наличии
|
- |
|
  |
Диод Шоттки MBR0520LT1G / 0.5А 20В, SOD-123
ON Semiconductor
Код: 59051
|
Нет в наличии
|
- |
|
|
Диод Шоттки MBR0530 (YJ) / 0.5А, 30В, SOD-123
YJ (Yangzhou Yangjie)
Код: 59647
|
Нет в наличии
|
- |
|
|
Код: 18231
|
Нет в наличии
|
- |
|
|
Диод Шоттки MBR0580S1-7 / 0.5А, 80В, SOD-123
DIO (DIODES INC.)
Код: 60956
|
Нет в наличии
|
- |
|
|
Код: 12593
|
Нет в наличии
|
- |
|
|
Диод Шоттки MBR1060 / 10А, 60В, TO-220-2
YJ (Yangzhou Yangjie)
Код: 46869
|
Нет в наличии
|
- |
|
|
Код: 61682
|
Нет в наличии
|
- |
|
|
Код: 06786
|
Нет в наличии
|
- |
|
  |
Код: 06787
|
Нет в наличии
|
- |
|
|
Диод Шоттки MBR1660 / 16А, 60В, TO-220AC
TAIWAN SEMICONDUCTOR
Код: 35545
|
Нет в наличии
|
- |
|
|
Код: 12710
|
Нет в наличии
|
- |
|
|
Код: 12578
|
Нет в наличии
|
- |
|
|
Код: 40091
|
Нет в наличии
|
- |
|
|
Код: 14527
|
Нет в наличии
|
- |
|
|
Код: 14241
|
Нет в наличии
|
- |
|
|
Диод Шоттки MBR30100CT / 30А, 100В, TO-220
JSM (JSMICRO)
Код: 55204
|
Нет в наличии
|
- |
|
  |
Код: 61686
|
Нет в наличии
|
- |
|
  |
Код: 17950
|
Нет в наличии
|
- |
|
|
Диод Шоттки MBR760 / 7А, 60В, TO-220-2
TAIWAN SEMICONDUCTOR
Код: 59755
|
Нет в наличии
|
- |
|
  |
Код: 46768
|
Нет в наличии
|
- |
|
  |
Диод Шоттки MBRB30150CTS / 2x15А, 150В, DPAK (TO-252)
YJ (Yangzhou Yangjie)
Код: 57197
|
Нет в наличии
|
- |
|
  |
Код: 06788
|
Нет в наличии
|
- |
|
Диод Шоттки (Диод с барьером Шоттки) - полупроводниковый диод с малым падением напряжения при прямом пропускании тока.
В диодах Шоттки в качестве барьера используется переход металл-полупроводник, в отличие от обычных диодов, где используется p-n-переход. Переход металл-полупроводник обладает рядом особенных свойств (отличных от свойств полупроводникового p-n-перехода). К ним относятся: пониженное падение напряжения при прямом включении, высокий ток утечки, очень маленький заряд обратного восстановления. Последнее объясняется тем, что по сравнению с обычным p-n-переходом у таких диодов отсутствует диффузия, связанная с инжекцией неосновных носителей, то есть они работают только на основных носителях, а их быстродействие определяется только барьерной емкостью.
