+375(17)316-14-10
  |
Код: 43333
|
894 шт | 11 рос.руб./шт |
|
  |
Код: 56465
|
4 шт | 35 рос.руб./шт |
|
  |
Код: 43752
|
87 шт | 17 рос.руб./шт |
|
|
Диод Шоттки 10MQ100NPBF / 1А, 100В, DO-214AC (SMA)
KLS Electronic
Код: 45370
|
9 шт | 8 рос.руб./шт |
|
  |
Диод Шоттки 1N5817 (DC) / 1A, 20V, DO-41
DC (DC Components)
Код: 06044
|
36 шт | 6 рос.руб./шт |
|
|
Диод Шоттки 1N5817 (YJ) / 1А, 20В, DO-41
YJ (Yangzhou Yangjie)
Код: 10563
|
128 шт | 5 рос.руб./шт |
|
|
Диод Шоттки 1N5818 T/B (DC) / 1А, 30В, DO-41
DC (DC Components)
Код: 08163
|
70 шт | 5 рос.руб./шт |
|
|
Диод Шоттки 1N5819 Ø0.55mm / 1А, 40В, DO-41
Keen Side (KSE)
Код: 61470
|
1 шт | 2 рос.руб./шт |
|
  |
Диод Шоттки 1N5819HW (TP) / 1А, 40В, SOD-123
Tech Public
Код: 52210
|
33 шт | 3 рос.руб./шт |
|
|
Диод Шоттки 1N5819HW-7-F / 1А, 40В, SOD-123
DIO (DIODES INC.)
Код: 50700
|
3 шт | 10 рос.руб./шт |
|
  |
Диод Шоттки 1N5820 / 3А, 20В, DO-201AD
Keen Side (KSE)
Код: 08164
|
37 шт | 12 рос.руб./шт |
|
  |
Диод Шоттки 1N5822 / 3А, 40В, DO-201AD
YJ (Yangzhou Yangjie)
Код: 01809
|
461 шт | 12 рос.руб./шт |
|
  |
Диод Шоттки 30BQ100 / 3А, 100В, DO-214AB
Keen Side (KSE)
Код: 56799
|
54 шт | 5 рос.руб./шт |
|
|
Диод Шоттки B340A-13-F / 3А, 40В, SMA (DO-214AC)
DIO (DIODES INC.)
Код: 51505
|
22 шт | 15 рос.руб./шт |
|
|
Диод Шоттки B340B-13-F / 3А, 40В, DO-214AA(SMB)
DIO (DIODES INC.)
Код: 50807
|
2 шт | 13 рос.руб./шт |
|
|
Код: 51026
|
23 шт | 22 рос.руб./шт |
|
|
Код: 54881
|
3 шт | 4 рос.руб./шт |
|
|
Код: 57180
|
3 шт | 9 рос.руб./шт |
|
|
Код: 33994
|
17 шт | 33 рос.руб./шт |
|
  |
Код: 56519
|
18 шт | 3 рос.руб./шт |
|
  |
Диод Шоттки BAS40-04 (DC) / 0.2А, 40В, SOT-23
DC (DC Components)
Код: 48878
|
30 шт | 4 рос.руб./шт |
|
  |
Диод Шоттки BAS85 / 0.2А, 30В, SOD-80
DC (DC Components)
Код: 33266
|
110 шт | 4 рос.руб./шт |
|
|
Диод Шоттки BAS85.115 / 0.2А, 30В, SOD-80
NXP / Philips
Код: 08570
|
69 шт | 8 рос.руб./шт |
|
|
Диод Шоттки BAT20JFILM
STM (ST Microelectronics)
Код: 36093
|
32 шт | 9 рос.руб./шт |
|
Диод Шоттки (Диод с барьером Шоттки) - полупроводниковый диод с малым падением напряжения при прямом пропускании тока.
В диодах Шоттки в качестве барьера используется переход металл-полупроводник, в отличие от обычных диодов, где используется p-n-переход. Переход металл-полупроводник обладает рядом особенных свойств (отличных от свойств полупроводникового p-n-перехода). К ним относятся: пониженное падение напряжения при прямом включении, высокий ток утечки, очень маленький заряд обратного восстановления. Последнее объясняется тем, что по сравнению с обычным p-n-переходом у таких диодов отсутствует диффузия, связанная с инжекцией неосновных носителей, то есть они работают только на основных носителях, а их быстродействие определяется только барьерной емкостью.
