+375(17)316-14-10
  |
Диод Шоттки BAT54WS (KSE) / 0,2А, 30В, SOD-323F
KSE (Keen Side)
Код: 48590
|
683 шт | 2 рос.руб./шт |
|
  |
Диод Шоттки BAT54XV2 / 0,2А, 30В, SOD-523
ON Semiconductor
Код: 47317
|
32 шт | 5 рос.руб./шт |
|
  |
Диод Шоттки BAT60J / SOD-323, 3A, 10V
STM (ST Microelectronics)
Код: 53413
|
86 шт | 11 рос.руб./шт |
|
  |
Код: 37352
|
30 шт | 26 рос.руб./шт |
|
|
Код: 43837
|
39 шт | 15 рос.руб./шт |
|
|
Код: 41619
|
69 шт | 4 рос.руб./шт |
|
  |
Код: 07275
 |
87 шт | 8 рос.руб./шт |
|
  |
Код: 51979
|
7 шт | 242 рос.руб./шт |
|
  |
Диод Шоттки FSV340AF / 3А, 40В, DO-214AD (SMAF)
ONS (ON Semiconductor)
Код: 53132
|
26 шт | 44 рос.руб./шт |
|
  |
Диод Шоттки MBR0540 (YJ) / 0.5А, 40В, SOD-123
YJ (Yangzhou Yangjie)
Код: 48458
|
12 шт | 6 рос.руб./шт |
|
|
Код: 48163
|
500 шт | 2 рос.руб./шт |
|
|
Диод Шоттки MBR0540T1G / 0.5А, 40В, SOD-123
ON Semiconductor
Код: 52295
|
3 шт | 15 рос.руб./шт |
|
  |
Диод Шоттки MBR10100CT / 10А, 100В, TO-220
MIC (Master Instruments)
Код: 33141
|
28 шт | 60 рос.руб./шт |
|
  |
Код: 12593
|
22 шт | 108 рос.руб./шт |
|
|
Код: 14716
|
4 шт | 58 рос.руб./шт |
|
|
Диод Шоттки MBR1645 / 16А, 45В, TO-220AC
YJ (Yangzhou Yangjie)
Код: 35557
|
24 шт | 27 рос.руб./шт |
|
|
Диод Шоттки MBR20100CT (KSE) / 20А, 100В, TO-220
Keen Side (KSE)
Код: 54357
|
43 шт | 23 рос.руб./шт |
|
|
Диод Шоттки MBR20100CT (YJ) / 20А, 100В, TO-220
YJ (Yangzhou Yangjie)
Код: 43545
|
13 шт | 40 рос.руб./шт |
|
|
Код: 12710
|
16 шт | 45 рос.руб./шт |
|
|
Диод Шоттки MBR20200CT / 20А, 200В, TO-220
YJ (Yangzhou Yangjie)
Код: 37023
|
24 шт | 63 рос.руб./шт |
|
|
Диод Шоттки MBR2045CT / 20А, 45В, TO-220-3
YJ (Yangzhou Yangjie)
Код: 40749
|
41 шт | 32 рос.руб./шт |
|
  |
Код: 41661
|
50 шт | 66 рос.руб./шт |
|
|
Код: 41658
|
3 шт | 46 рос.руб./шт |
|
  |
Диод Шоттки MBRB1060CT / 5А, 60В, D2PАK (TO-263AB)
ISC (Inchange Semiconductor)
Код: 38454
|
126 шт | 3 рос.руб./шт |
|
Диод Шоттки (Диод с барьером Шоттки) - полупроводниковый диод с малым падением напряжения при прямом пропускании тока.
В диодах Шоттки в качестве барьера используется переход металл-полупроводник, в отличие от обычных диодов, где используется p-n-переход. Переход металл-полупроводник обладает рядом особенных свойств (отличных от свойств полупроводникового p-n-перехода). К ним относятся: пониженное падение напряжения при прямом включении, высокий ток утечки, очень маленький заряд обратного восстановления. Последнее объясняется тем, что по сравнению с обычным p-n-переходом у таких диодов отсутствует диффузия, связанная с инжекцией неосновных носителей, то есть они работают только на основных носителях, а их быстродействие определяется только барьерной емкостью.
