+375(17)316-14-10
Транзистор IGBT NPT SGW50N60HS / 600В, 100А, TO-247
Код товара:
36250
Производитель:
INFINEON
Страна происхождения:
Таиланд
Технические характеристики| Корпус | TO-247 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (Vces), В | 600 |
| Ток коллектора макс. (Ic при T=25C), А | 100 |
| Фильтр раздела | Транзистор IGBT |
Описание товараОтносительно новым «стандартом», широко применяемым многими производителями (особенно для быстрых IGBT), является технология NPT (Non Punch Through). При изготовлении чипов NPT используется однородный диффузионный n –-слой подложки толщиной около 200 мкм. На нем расположен планарный затвор, а биполярный p-n-p-транзистор формируется с помощью добавления слоя p+ в основание базы. Описанная гомогенная структура лишена недостатков PT IGBT, в частности, она имеет высокую стойкость к короткому замыканию, положительный температурный коэффициент напряжения насыщения и прямоугольную область безопасной работы RBSOA. Возможность защелкивания в NPT IGBT исключена для всех значений рабочих токов, вплоть до тока короткого замыкания. Однако для обеспечения высокой стойкости к пробою такая структура должна иметь широкую область подложки, а значит, и сравнительно большое значение напряжения насыщения.
