«БелЧип», Минск, Тургенева, 7

A1 Viber +375(29)126-14-13

Розница

A1 Viber +375(44)768-51-81

Заказы физических лиц, почта

A1 Viber +375(44)506-72-53   gor +375(17)316-14-10

Безнал, факс (пн.-пт. 9:00-17:00)

gor +375(17)318-78-78

Выписка накладных(пн.-пт. 9:00-17:00)
Корзина
Избранное
RUR
Аноним
Каталог товаров
Обновлен 17.05.2024 в 10:31
Диоды Шоттки
Ток прямой, А (If)
Корпус
Напряжение обратное импульсное, В (Vrrm)
Производитель
Вид:
Сортировка:
Диод Шоттки
Код: 18354
554 шт 14 рос.руб./шт
Диод Шоттки
Код: 50701
239 шт 2 рос.руб./шт
Диод Шоттки
Код: 51709
50 шт 9 рос.руб./шт
Диод Шоттки
Код: 44348
27 шт 9 рос.руб./шт
Диод Шоттки
Код: 51711
Ожидается: 24.05.2024
-
Диод Шоттки
Код: 51710
77 шт 14 рос.руб./шт
Диод Шоттки
Код: 09926
5 шт 92 рос.руб./шт
Диод Шоттки
Код: 30802
5 шт 26 рос.руб./шт
Диод Шоттки
Код: 50262
3 585 шт 51 рос.руб./шт
Диод Шоттки
Код: 45320
24 шт 175 рос.руб./шт
Диод Шоттки
Код: 51004
6 шт 120 рос.руб./шт
Диод Шоттки
Код: 48274
9 шт 100 рос.руб./шт
Диод Шоттки
Код: 47502
6 шт 75 рос.руб./шт
Диод Шоттки
Код: 49213
Ожидается: 24.05.2024
-
Диод Шоттки
Код: 18293
45 шт 39 рос.руб./шт
Диод Шоттки
Код: 53166
14 шт 7 рос.руб./шт
Диод Шоттки
Код: 36096
181 шт 21 рос.руб./шт
Диод Шоттки
Код: 39953
51 шт 42 рос.руб./шт
Диод Шоттки
Код: 49403
4 шт 338 рос.руб./шт
Диод Шоттки
Код: 50489
34 шт 145 рос.руб./шт
Диод Шоттки
Код: 37347
21 шт 51 рос.руб./шт
Диод Шоттки
Код: 34571
73 шт 14 рос.руб./шт
Диод Шоттки
Код: 49761
15 шт 43 рос.руб./шт
Диод Шоттки
Код: 51150
12 шт 28 рос.руб./шт

Диод Шоттки (Диод с барьером Шоттки) - полупроводниковый диод с малым падением напряжения при прямом пропускании тока.

В диодах Шоттки в качестве барьера используется переход металл-полупроводник, в отличие от обычных диодов, где используется p-n-переход. Переход металл-полупроводник обладает рядом особенных свойств (отличных от свойств полупроводникового p-n-перехода). К ним относятся: пониженное падение напряжения при прямом включении, высокий ток утечки, очень маленький заряд обратного восстановления. Последнее объясняется тем, что по сравнению с обычным p-n-переходом у таких диодов отсутствует диффузия, связанная с инжекцией неосновных носителей, то есть они работают только на основных носителях, а их быстродействие определяется только барьерной емкостью.