«БелЧип», Минск, Тургенева, 7

A1 Viber +375(29)126-14-13

Розница

A1 Viber +375(44)768-51-81

Заказы физических лиц, почта

A1 Viber +375(44)506-72-53   gor +375(17)316-14-10

Безнал, факс (пн.-пт. 9:00-17:00)

gor +375(17)318-78-78

Выписка накладных(пн.-пт. 9:00-17:00)
Корзина
Избранное
RUR
Аноним
Каталог товаров
Обновлен 19.05.2024 в 20:31
Диоды Шоттки
Ток прямой, А (If)
Корпус
Напряжение обратное импульсное, В (Vrrm)
Производитель
Вид:
Сортировка:
Диод Шоттки
Код: 52441
37 шт 8 рос.руб./шт
Диод Шоттки
Код: 53766
16 шт 25 рос.руб./шт
Диод Шоттки
Код: 49167
92 шт 17 рос.руб./шт
Диод Шоттки
Код: 48294
165 шт 6 рос.руб./шт
Диод Шоттки
Код: 51397
7 шт 44 рос.руб./шт
Диод Шоттки
Код: 49194
2 шт 92 рос.руб./шт
Диод Шоттки
Код: 51672
10 шт 6 рос.руб./шт
Диод Шоттки
Код: 50486
35 шт 8 рос.руб./шт
Диод Шоттки
Код: 52316
65 шт 11 рос.руб./шт
Диод Шоттки
Код: 14539
47 шт 36 рос.руб./шт
Диод Шоттки
Код: 50782
31 шт 33 рос.руб./шт
Диод Шоттки
Код: 50271
113 шт 11 рос.руб./шт
Диод Шоттки
Код: 11240
293 шт 46 рос.руб./шт
Спеццена
Диод Шоттки
Код: 17079
9 шт 655 рос.руб./шт
Диод Шоттки
Код: 51656
3 шт 4 рос.руб./шт
Диод Шоттки
Код: 37427
12 шт 6 рос.руб./шт
Диод Шоттки
Код: 37428
86 шт 5 рос.руб./шт
Диод Шоттки
Код: 14714
621 шт 7 рос.руб./шт
Диод Шоттки
Код: 28813
162 шт 7 рос.руб./шт
Диод Шоттки
Код: 51205
100 шт 16 рос.руб./шт
Диод Шоттки
Код: 51867
10 шт 13 рос.руб./шт
Диод Шоттки
Код: 15147
1 468 шт 9 рос.руб./шт
Диод Шоттки
Код: 19257
51 шт 14 рос.руб./шт
Диод Шоттки
Код: 50979
12 шт 10 рос.руб./шт

Диод Шоттки (Диод с барьером Шоттки) - полупроводниковый диод с малым падением напряжения при прямом пропускании тока.

В диодах Шоттки в качестве барьера используется переход металл-полупроводник, в отличие от обычных диодов, где используется p-n-переход. Переход металл-полупроводник обладает рядом особенных свойств (отличных от свойств полупроводникового p-n-перехода). К ним относятся: пониженное падение напряжения при прямом включении, высокий ток утечки, очень маленький заряд обратного восстановления. Последнее объясняется тем, что по сравнению с обычным p-n-переходом у таких диодов отсутствует диффузия, связанная с инжекцией неосновных носителей, то есть они работают только на основных носителях, а их быстродействие определяется только барьерной емкостью.