Каталог товаров
Обновлен
08.05.2024
в 02:21
Транзистор IGBT NPT SGP07N120XKSA1 / 1200В, 16.5А, TO-220
Код товара:
30609
Производитель:
INFINEON
Страна происхождения:
Малайзия
Технические характеристики
Корпус | TO-220 |
Напряжение коллектор-эмиттер (Vces), В | 1200 |
Ток коллектора макс. (Ic при T=25C), А | 16,5 |
Фильтр раздела | Транзистор IGBT |
Описание товара
Относительно новым «стандартом», широко применяемым многими производителями (особенно для быстрых IGBT), является технология NPT (Non Punch Through). При изготовлении чипов NPT используется однородный диффузионный n –-слой подложки толщиной около 200 мкм. На нем расположен планарный затвор, а биполярный p-n-p-транзистор формируется с помощью добавления слоя p+ в основание базы. Описанная гомогенная структура лишена недостатков PT IGBT, в частности, она имеет высокую стойкость к короткому замыканию, положительный температурный коэффициент напряжения насыщения и прямоугольную область безопасной работы RBSOA. Возможность защелкивания в NPT IGBT исключена для всех значений рабочих токов, вплоть до тока короткого замыкания. Однако для обеспечения высокой стойкости к пробою такая структура должна иметь широкую область подложки, а значит, и сравнительно большое значение напряжения насыщения.